UMH11NTN中文资料
UMH11NTN图片
- 大小：72.1KB
- 厂家：Rohm
- 描述： TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Package / Case:SOT-363; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose; Current Ic Continuous a Max:100mA; Hfe Min:30; Power Dissipation Pd:150mW
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：250MHz
- 功率 - 最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：UMH11NTNTR
UMH11NTN供应商
更新时间:2023-01-29 02:47:21- 供应商
- 产品型号
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- 说明
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UMH11NTN
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进口原装
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UMT6 (SOT363) (SC88)/24+
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SOT363/23+
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UMT6 (SOT363) (SC88)/18+
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SOT363/2018+
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SOM/2018+
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300
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-/-
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只做原装，假一罚十
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UMH11NTN
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原装现货支持BOM配单服务
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UMH11NTN
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12000
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SOT236/24+
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UMH11NTN
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12000
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SOT353/-
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原装现货，可开票，提供账期诚信服务
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UMH11NTN
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20000
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SOT363/25+
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UMH11NTN
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24000
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SOT363/23+
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UMH11NTN
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8000
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22+/NA
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UMH11NTN
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SOT363/22+
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UMH11NTN
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407664
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363/25+
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单